TNO en Ushio ontwikkelen EUV-lichtbrontechnologie verder

TNO en Ushio Inc. zetten hun langdurige samenwerking voort voor de ontwikkeling en het onderhoud van high intensity extreme ultraviolet (EUV) lichtbrontechnologie binnen de EBL2 onderzoeksfaciliteit in Delft.

De samenwerking, die sinds 2015 loopt, is gebaseerd op een meerjarige overeenkomst waarin Ushio Inc. optreedt als strategische leverancier en ontwikkelpartner voor de EUV-lichtbron.

EUV-faciliteit voor lithografisch onderzoek
De EBL2-faciliteit van TNO is ontworpen voor het bestuderen van stralingsgeïnduceerde effecten op optische componenten en reticles binnen een gecontroleerde vacuümomgeving. De installatie maakt gebruik van een Sn LDP (laser assisted discharge produced plasma) EUV-lichtbron.

Dit pulsgestuurde systeem simuleert de operationele omstandigheden van lithografiescanners, waardoor reproduceerbare en realistische testomstandigheden mogelijk zijn voor onderzoek naar halfgeleiderprocessen.

Technische samenwerking en systeemoptimalisatie
Binnen de samenwerking ligt de focus op het verbeteren van de betrouwbaarheid, onderhoudseffectiviteit en voorspelbaarheid van de EUV-lichtbron. Deze parameters zijn essentieel voor consistente prestaties in onderzoeksomgevingen waar stabiliteit van de stralingsbron direct invloed heeft op meetresultaten.

Recent hebben TNO en Ushio Inc. tests uitgevoerd met een verhoogde bronfrequentie. Dit vergroot de capaciteit van de faciliteit en maakt nieuwe onderzoeksconfiguraties mogelijk binnen EUV-toepassingen.

Langetermijnontwikkeling van EUV-technologie
De samenwerking omvat zowel operationele ondersteuning als gezamenlijke ontwikkeling van volgende generaties EUV-lichtbronnen. Door continue optimalisatie van prestaties en systeemintegratie dragen beide partijen bij aan de verdere ontwikkeling van EUV-technologie voor industriële en onderzoeksdoeleinden.

De combinatie van bronontwikkeling en toepassing in een experimentele omgeving maakt het mogelijk om technologische verbeteringen direct te valideren onder realistische omstandigheden.

Rol binnen halfgeleider-ecosystemen
EUV-technologie speelt een centrale rol in geavanceerde lithografieprocessen voor halfgeleiderproductie. Onderzoeksfaciliteiten zoals EBL2 ondersteunen de ontwikkeling van nieuwe materialen, componenten en processen die nodig zijn voor verdere schaalverkleining en prestatieverbetering.

De samenwerking tussen TNO en Ushio Inc. draagt bij aan het versterken van deze ontwikkelketen door stabiele en reproduceerbare EUV-bronnen beschikbaar te maken voor onderzoek en validatie.

Bewerkt door Natania Lyngdoh, Induportals Editor – aangepast door AI.

www.tno.com